- 您现在的位置：买卖IC网 > Sheet目录401 > CPH5871-TL-H (ON Semiconductor)MOSFET N-CH DIODE SCHOTTKY CPH5
CPH5871
1m μ s
ID=3.5A
ms
DC
0m
op
era
n(T
25
° C
3
2
10
7
5
3
2
1.0
7
5
3
2
0.1
IDP=14A PW≤10μs
ASO [MOSFET]
10
Operation in this area tio
10
s
is limited by RDS(on). a=
)
100
s
1.0
0.9
0.8
0.6
0.4
PD -- Ta [MOSFET]
When mounted on ceramic substrate
(600mm 2 × 0.8mm) 1unit
When mounted on ceramic substrate (600mm 2 × 0.8mm)1unit
0.1
7
5
0.01
3 Ta=25 ° C
2 Single pulse
2 3 5 7 1.0 2 3 5 7 10 2
3
5
0.2
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
3
2
1.0
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
IF -- VF
IT14375
[SBD]
10000
5
1000
5
Ambient Temperature, Ta -- ° C
IR -- VR
Ta=125 ° C
100 ° C
IT14376
[SBD]
7
5
3
2
0.1
7
5
3
2
100
5
10
5
1.0
5
0.1
5
0.01
5
0.001
5
75 ° C
50 ° C
25 ° C
0 ° C
--25 ° C
0.01
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.0001
0
5
10
15
20
25
30
35
0.8
0.7
0.6
Rectangular
wave
θ
360 °
Forward Voltage, VF -- V
PF(AV) -- IO
(1)
IT09553
[SBD]
(2) (4)(3)
3
2
100
Reverse Voltage, VR -- V
C -- VR
IT09554
[SBD]
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
Sine wave
180 °
360 °
(1)Rectangular wave θ =60 °
(2)Rectangular wave θ =120 °
(3)Rectangular wave θ =180 °
7
5
3
2
10
0
0
0.2
0.4
(4)Sine wave θ =180 °
0.6 0.8
1.0
1.2
7
0.1
2
3
5
7 1.0
2
3
5
7 10
2
3
5
Average Output Current, IO -- A
14
12
10
IT09555
IFSM -- t [SBD]
Current waveform 50Hz sine wave
I S
20ms
t
Reverse Voltage, VR -- V
IT09556
8
6
4
2
0
7 0.01
2
3
5
7 0.1
2
3
5
7 1.0
2
3
Time, t -- s
ID00435
No. A1401-4/7
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。
相关PDF资料
CPH6337-TL-E
MOSFET P-CH 12V 3.5A CPH6
CPH6341-TL-E
MOSFET P-CH 30V 5A CPH6
CPH6347-TL-H
MOSFET P-CH 20V 6A CPH6
CPH6350-TL-E
MOSFET P-CH 30V 6A CPH6
CPH6354-TL-H
MOSFET P-CH 60V 4A CPH6
CPH6355-TL-H
MOSFET P-CH 30V 3A CPH6
CPH6442-TL-E
MOSFET N-CH 60V 6A CPH6
CPH6443-TL-H
MOSFET N-CH 35V 6A CPH6
相关代理商/技术参数
CPH5871-TL-W
功能描述:MOSFET N-CH 30V 3.5A CPH5 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR） 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:二极管（隔离式） 漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:3.5A（Ta） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:52 毫欧 @ 2A，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:4.7nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:430pF @ 10V 功率 - 最大值:900mW 工作温度:-55°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-74A，SOT-753 供应商器件封装:5-CPH 标准包装:3,000
CPH5901
制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:High-Frequency Amplifier. AM Amplifier. Low-Frequency Amplifier Applications
CPH5901_12
制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:High-Frequency Amplifier. AM Amplifier. Low-Frequency Amplifier Applications
CPH5901F-TL-E
功能描述:JFET NCH J-FET+BIP NPN TR RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 晶体管极性:N-Channel 漏极电流（Vgs=0 时的 Idss）:50 mA 漏源电压 VDS:15 V 闸/源击穿电压: 漏极连续电流:50 mA 配置: 安装风格: 封装 / 箱体:SC-59 封装:Reel
CPH5901G-TL-E
功能描述:JFET NCH J-FET+BIP NPN TR RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 晶体管极性:N-Channel 漏极电流（Vgs=0 时的 Idss）:50 mA 漏源电压 VDS:15 V 闸/源击穿电压: 漏极连续电流:50 mA 配置: 安装风格: 封装 / 箱体:SC-59 封装:Reel
CPH5902
制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:
CPH5902_12
制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:High-Frequency Amplifier. AM Amplifier. Low-Frequency Amplifi er Applications
CPH5902G-TL-E
功能描述:JFET NCH J-FET+BIP NPN TR RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 晶体管极性:N-Channel 漏极电流（Vgs=0 时的 Idss）:50 mA 漏源电压 VDS:15 V 闸/源击穿电压: 漏极连续电流:50 mA 配置: 安装风格: 封装 / 箱体:SC-59 封装:Reel